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2N539	文件：211.35 Kbytes Page：1 Pages	PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTOR PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTOR 文件：211.35 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N539	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5393	文件：79.18 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL J-FET N-CHANNEL J-FET 文件：79.18 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5395	文件：78.5 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON JFET N-CHANNEL SILICON JFET 文件：78.5 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5397	文件：162.34 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS 文件：162.34 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5397	文件：135.4 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR 文件：135.4 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5397	文件：145.92 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL JFETS N-Channel JFETs 文件：145.92 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5397	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNEL JFET GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES 文件：4.13074 Mbytes 页数：122 Pages	INTERSIL	INTERSIL
2N5397	文件：91.09 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor ● Low-Noise ● High Power Gain ● High Transconductance ● Mixers ● Oscillators ● VHF Amplifiers 文件：91.09 Kbytes 页数：1 Pages	INTERFET	INTERFET
2N5398	文件：91.09 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor ● Low-Noise ● High Power Gain ● High Transconductance ● Mixers ● Oscillators ● VHF Amplifiers 文件：91.09 Kbytes 页数：1 Pages	INTERFET	INTERFET

晶体管资料

型号：
2N539(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
34W
放大倍数：
β>30
图片代号：
D-112
vtest：
80
htest：
999900
atest：
3.5
wtest：
34

技术参数

Maximum Power Dissipation：
5000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
30A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75@1A@10A
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N539供应商更新时间2026-4-19 8:01:00

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