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2N5305

SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

Silicon Darlington Transistors

文件:126.29 Kbytes 页数:4 Pages

GESS

2N5305

Silicon Darlington Transistors

Silicon Darlington Transistors

文件:70.69 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5305

SILICON TRANSISTORS

Signal Transistor Silicon Darlington Transistors

文件:120.44 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5305

SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

GESS

2N5305

Trans GP BJT NPN 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJS

NJS

晶体管资料

  • 型号:

    2N5305

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_前置放大 (V)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    60MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC517,BC617,MPS-A13,MPS-A14,2SD892,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

    β>2000

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    25

  • htest:

    60000000

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0.4

技术参数

  • Maximum Power Dissipation:

    5000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    30A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    60V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.75@1A@10A

  • Maximum Collector Base Voltage:

    60V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

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更多2N5305供应商 更新时间2026-1-17 13:36:00