2N5190G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2N5190G |
参数属性 | 2N5190G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 40V 4A TO126 |
功能描述 | Silicon NPN Power Transistors |
文件大小 |
145.7 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-28 20:00:00 |
2N5190G规格书详情
Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and switching circuits − excellent safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195.
Features
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in.
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
2N5190G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N5190G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
2N5190G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.4V @ 1A,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 1.5A,2V
- 频率 - 跃迁:
2MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN 40V 4A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
onsemi |
24+ |
TO-225AA,TO-126-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO2253 |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ON/ON Semiconductor/安森美/安 |
21+ |
TO-126 |
1800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON |
15+ |
TO-126 |
1800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-225-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
100866 |
询价 | |||
ON |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-126 |
1800 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 |