2N5190G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5190G |
| 参数属性 | 2N5190G 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 4A TO126 |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
145.7 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-20 9:18:00 |
| 人工找货 | 2N5190G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5190G规格书详情
2N5190G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的2N5190G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and switching circuits − excellent safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195.
特性 Features
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in.
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
产品属性
更多- 产品编号：
2N5190G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1.5A，2V
- 频率 - 跃迁：
2MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 40V 4A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-225 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-126 |
1800 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO-225-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-126 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-225 |
12000 |
现货 |
询价 | ||
ON |
18+ |
TO-126 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-225 |
1259 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 |
