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2N5154L	文件：59.59 Kbytes Page：2 Pages	Type 2N5154L Geometry 9201 Polarity NPN Chip type 2C5154 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Features: ● Medium power ratings APPLICATIONS: Designed for medium power amplifier and switching and wide band amplifier applications. 文件：59.59 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N5154L	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/544 文件：68.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5154L	文件：571.98 Kbytes Page：4 Pages	NPN Power Silicon Transistor Features ● Available in commercial, JAN, JANTX, JANTXV, JANS and JANSR 100K rads (Si) per MIL-PRF-19500/544 ● TO-5 Package: 2N5152L, 2N5154L ● TO-39 (TO-205AD) Package: 2N5152, 2N5154 文件：571.98 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
2N5157	文件：501.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN High Power Silicon Transistors Features • Available in JAN, JANTX, JANTXV per MIL-PRF-19500/371 • TO-3 (TO-204AA) Package 文件：501.67 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
2N5157	文件：129.229 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage APPLICATIONS • Switching regulator • Inverters • Solenoid and relay drivers • Motor controls 文件：129.229 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5157	文件：45.27 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage APPLICATIONS • Switching regulator • Inverters • Solenoid and relay drivers • Motor controls 文件：45.27 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5157	文件：95.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：95.29 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5157	文件：109.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage APPLICATIONS • Switching regulator • Inverters • Solenoid and relay drivers • Motor controls 文件：109.08 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5160	文件：695.23 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Power Transistor ABSTRACT designed for amplifier, frequency multiplier or oscillator applications in military and industrial equipment. Suitable for use as Class A, B, or C output driver, or pre-driver stages in VHF and UHF. 文件：695.23 Kbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N5160	文件：3.09483 Mbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS IC = -400 mA POWER TRANSISTOR PNP SILICON designed for amplifier, frequency multiplier or oscillator applications in military and industrial equipment. Suitable for use as Class A, B, or C output driver, or pre-driver stages in VHF and UHF. 文件：3.09483 Mbytes 页数：4 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI

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晶体管资料

型号：
2N5179
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_超高频/特高频（UHF）_低噪放大（
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
1.4GHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BF357,BF377,BF378,BF689,BF763,BFR15,BFT17,BFT66,BFT67,BFW99,2N2857,2N5053,2N5054,3DG82A,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
D-13
vtest：
20
htest：
1400000000
atest：
0.05
wtest：
0.2

产品属性

产品编号：
2N5179
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
200MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
4.5dB @ 200MHz
增益：
20dB
功率 - 最大值：
300mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 3mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
供应商器件封装：
TO-72
描述：
RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

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