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2N5089中文资料NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR数据手册Samsung规格书

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厂商型号

2N5089

参数属性

2N5089 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 25V 0.05A TO92

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

制造商

Samsung Samsung semiconductor

中文名称

三星 三星半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 20:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    2N5089

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    400 @ 100µA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 0.05A TO92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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