2N5088中文资料2N5088: Low Noise NPN Bipolar Transistor, TO-92数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
2N5088 |
参数属性 | 2N5088 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.05A TO92 |
功能描述 | 2N5088: Low Noise NPN Bipolar Transistor, TO-92 |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 长体 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 20:00:00 |
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2N5088规格书详情
描述 Description
This NPN Bipolar transistor is designed for high gain, low noise general purpose amplifier applications.It is housed in a TO-92 package for medium power applications.
特性 Features
Pb-Free Packages are Available*
简介
2N5088属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5088晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
2N5088
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 100µA,5V
- 频率 - 跃迁:
50MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.05A TO92
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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ON(安森美) |
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标准封装 |
8000 |
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