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2N5087	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2N5087_07	文件：156.05 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor PNP Silicon 文件：156.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5087G	文件：156.05 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor PNP Silicon 文件：156.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5087RLRAG	文件：156.05 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor PNP Silicon 文件：156.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5087_J18Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5087_J61Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N5087
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC214,BC416,BC560,2SA872(A),
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>250
图片代号：
A-31
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.625

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.05
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
3
hFEMin：
250
hFEMax：
800
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.0001
VCE(sat)(V)：
0.3
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.01
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.001
Package：
TO-92

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