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2N5059	文件：81.33 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5058, 2N5059 types are NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors designed for high voltage, general purpose amplifier applications. 文件：81.33 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5059	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4928 series types are PNP Silicon Transistors designed for general purpose applications. 文件：56.44 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5059	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5059	文件：174.77 Kbytes Page：1 Pages	NPN TO-39/TO-5 NPN TO-39/TO-5 Case 801 I(MAX) = 0.05 to 10 A VCEO(sus) = 40 • 800V fT = 1 to 50 MHz 文件：174.77 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5059	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 250V 0.15A 3-Pin TO-39 Box	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N5059(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
>30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF258,BF259,BF337,BF658,BF659,BFS89,BFR58,BFT48,3DG841,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
250
htest：
30000100
atest：
0.15
wtest：
1

技术参数

Maximum Transition Frequency：
30(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
1mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
0.15A
Maximum Collector Emitter Voltage：
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@3A@30AV
Maximum Collector Base Voltage：
250V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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更多2N5059供应商更新时间2026-4-21 16:30:00

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