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2N5008

10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS

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SSDI

2N5008

HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 120 VOLTS

[SSDI] 10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 120 VOLTS 10 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS 10 AMP RADIATION TOLLERANT NPN TRANSISTOR 150 VOLTS

文件:272.43 Kbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N5008

COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES

[API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES

文件:93.33 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N5008

Package:TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N5008

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2N5288,2N5289,3DK10AD,

  • 最大耗散功率:

    67W

  • 放大倍数:

    β>70

  • 图片代号:

    F-28

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    67

产品属性

  • 产品编号:

    2N5008

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    900mV @ 500µA, 5mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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更多2N5008供应商 更新时间2026-4-21 8:01:00