| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiTO-92(TO-226) |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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4年
留言
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ONTO-226- |
6850 |
23+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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12年
留言
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ONSEMI/安森美TO-92 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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ONSEMI/安森美TO-92 |
9346 |
14+ |
原装进口无铅现货 |
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7年
留言
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CSCNA |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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3年
留言
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ON(安森美) |
4560 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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10年
留言
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MOTOROLACAN3 |
890 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)- |
2317 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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7年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
7058 |
24+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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7年
留言
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Microchip Technology / AtmelN/A |
6895 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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Microchip Technology / AtmelN/A |
6843 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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7年
留言
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CENTRALTO-92 |
82796 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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8年
留言
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MOTNA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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7年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉原厂原封可拆样 |
65248 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 |
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18年
留言
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ON |
1680 |
24+/25+ |
原装正品现货库存价优 |
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10年
留言
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恩XPNA |
130 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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12年
留言
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PHITO92 |
5000 |
02+有铅 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
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14年
留言
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MOTCAN3 |
4231 |
24+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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18年
留言
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2N506712 |
12 |
25+ |
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16年
留言
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恩XP原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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2N5060RLRAG价格
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2N5064中文资料Alldatasheet PDF
更多2N5060功能描述:SCR 0.8A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
2N5060/D功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
2N5060G功能描述:SCR THY 0.8A 30V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
2N5060RL1制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N5060RLRA功能描述:SCR 30V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
2N5060RLRAG功能描述:SCR 30V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
2N5060RLRM功能描述:SCR 30V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
2N5060RLRMG功能描述:SCR 30V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
2N5061功能描述:SCR 0.8A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
2N5061G功能描述:SCR 50V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Ge-PNP
- 性质:
射频/高频放大 (HF)_开关管 (S)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
40V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1194,2SB56A,3AX51A,
- 最大耗散功率:
0.05W
- 放大倍数:
- 图片代号:
D-161
- vtest:
40
- htest:
999900
- atest:
0.1
- wtest:
0.05





























