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2N499	文件：89.42 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM MICRO ALLOY DIFFUSED-BASE TRANSISTOR PNP POLARITY GERMANIUM MICRO ALLOY DIFFUSED-BASE TRANSISTOR PNP POLARITY 文件：89.42 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N499	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 40V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve	NJS 新泽西半导体	NJS
2N4990	文件：92.69 Kbytes Page：1 Pages	SILICON UNIDIRECTIONAL SWITCH Description: Silicon Undirectional Switch 文件：92.69 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4990	文件：10.26 Kbytes Page：1 Pages	Silicon unilateral switch (SUS) in package TO-92 Silicon unilateral switch (SUS) in package TO-98 文件：10.26 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N4990	文件：169.73 Kbytes Page：7 Pages	SILICON UNILATERAL SWITCH Silicon Unilateral Switch Applications: ■ SCR triggers ■ Frequency Drivers ■ Ring Counters ■ Cross Point Switching ■ Over-Voltage Sensors 文件：169.73 Kbytes 页数：7 Pages	GE	GE
2N4996	文件：124.04 Kbytes Page：1 Pages	HIGH-FREQUENCY TRANSISTORS HIGH-FREQUENCY TRANSISTORS FOR TUNER AND IF-AMPLIFIER STAGES IN FM AND AM/FM STERO-MULTIPLEX RECEIVERS 文件：124.04 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4997	文件：118.09 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N SILICON TRANSISTOR N-P-N SILICON TRANSISTOR 文件：118.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4998	文件：80.38 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT N-P-N SILICON POWER TRANSISTORS HIGH-FREQUENCY POWER TRANSISTORS WITH COMPUTER-DESIGNED ISOTHERMAL GEOMETRY ● For Complementary Use With 2N4999, 2N5001, 2N5147, and 2N5149 ● 6 mJ Reverse Energy Rating with IC = 5 A and 4 V Reverse Bias 文件：80.38 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4998	文件：108.16 Kbytes Page：2 Pages	N-P-N SILICON POWER TRANSISTORS N-P-N SILICON POWER TRANSISTORS HIGH-FREQUENCY POWER TRANSISTORS WITH COMPUTER-DESIGNED ISOTHERMAL GEOMETRY ● For Complementary Use With 2N4999, 2N5001, 2N5147, and 2N5149 ● 6 mJ Reverse Energy Rating with IC = 5 A and 4 V Reverse Bias 文件：108.16 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4999	文件：151.15 Kbytes Page：1 Pages	DISCRETE EMITTER GEOMETRY Silicon Unilateral Switch (SUS) 文件：151.15 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N499(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
甚高频（VHF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF106,AF109R,AF306,2N3323,3AK9,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
30
htest：
120000100
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

Maximum Transition Frequency：
4(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
87500mW
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@5AV
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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