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2N4929	文件：58.84 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4928 series types are PNP Silicon Transistors designed for general purpose applications. 文件：58.84 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4929	文件：55.52 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：55.52 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4929	文件：192.36 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS High-voltage PNP silicon annular transistors for use in general-purpose high-voltage applications. 文件：192.36 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4929	文件：16.18 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 文件：16.18 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N4929	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 150V 0.05A 3-Pin TO-39	NJS 新泽西半导体	NJS
2N4929	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage	Central	Central
2N4929	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

晶体管资料

型号：
2N4929(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT19,BFT44,BFT45,2N3634,2N3635,2N5415,2SB606,3CA1F,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
150
htest：
100000100
atest：
0.5
wtest：
1

技术参数

Case：
TO-39
Configuration/ Description：
PNP High Voltage
Polarity：
PNP
IC MAX：
500mA
PD MAX：
1W
VCEO MAX：
150V
hFE MIN：
25
hFE MAX：
200
@VCE：
10V
VCE(SAT) MAX：
500mV
@IC：
10mA
@IB：
1mA
Cob MAX：
10pF
fT MIN：
100MHz

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