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2N4923

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

Central

2N4923

Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-126 Box

NJS

NJS

2N4923

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-32

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2N4923

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO126

ONSEMI

安森美半导体

2N4923G

Medium?뭁ower Plastic NPN Silicon Transistors

文件:90.97 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4923G

Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors

文件:150.47 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4923G

Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors

文件:198.11 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4923G

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO126

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2N4923

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SOT-32

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更多2N4923供应商 更新时间2025-12-12 15:49:00