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NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE APPLICATIONS • SCREENING OPTIONS AVAILABE • TO66 PACKAGE 文件：15.08 Kbytes 页数：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar NPN Device. VCEO = 60V IC = 4A 文件：14.66 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR • Low Saturation Voltage Transistor In A Hermetic Metal Package • Designed For Driver Circuits, Switching and Amplifier Applications • Screening Options Available 文件：88.72 Kbytes 页数：3 Pages | TTELEC | TTELEC | ||
Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages | Central | Central | ||
POWER TRANSISTORS(1A,80V,25W) NPN SILICON TRANSISTORS ... designed for driver circuits, switching and amplifier applications. FEATURES * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)=0.6 V (Max.) @ Ic = 1.0 A * Excellent Safe Operating Area * Gain Specified to Ic = 1.0 Amp. * Complement to PNP 2N499. 文件：188.46 Kbytes 页数：4 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 80V(Min) • Low Collector Saturatioin Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max.)@ IC= 1A • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2N4900 APPLICATIONS • Designed for driver circuits, switching and amplifier application 文件：57.16 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
MEDIUM-POWER NPN SILICON TRANSISTORS Medium-power NPN silicon transistors designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. 文件：188.77 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE APPLICATIONS • SCREENING OPTIONS AVAILABE • TO66 PACKAGE 文件：15.08 Kbytes 页数：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4904, 2N4913 series types are complementary silicon power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：63.91 Kbytes 页数：1 Pages | Central | Central |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
250V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
>20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFT19A,BFT44,BFT45,MJ5415,MJ5416,2N5416,2SB606,3DA3F,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-62
- vtest：
250
- htest：
20000100
- atest：
0.5
- wtest：
1
产品属性
- 产品编号：
2N4931
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
NPN SILICON TRANSISTOR
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