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2N4429

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI 2N4429 is Designed for Class C Amplifier Applications Up to 1,000 MHz. FEATURES: • PG= 7.5 dB Typ. at 1.0 W/1000 MHz • Emitter Ballasting for Ruggedness • Omnigold™ Metallization System

文件:14.15 Kbytes 页数:1 Pages

ASI

2N4429

silicon transistors UHF/VHF power transistors

silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching

文件:245.31 Kbytes 页数:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N4429

SI NPN POWER BJT

Description: Si NPN Power BJT, I(C)

文件:111.49 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4429

NPN Silicon RF Power Transistor

DESCRIPTION: The 2N4429 is Designed for Class C Amplifier Applications Up to 1,000 MHz. FEATURES: • PG= 7.5 dB Typ. at 1.0 W/1000 MHz • Emitter Ballasting for Ruggedness

文件:2.57599 Mbytes 页数:3 Pages

AMERICASEMI

2N4429

Trans GP BJT NPN 35V 0.425A 4-Pin TO-117A

NJS

NJS

晶体管资料

  • 型号:

    2N4429

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    55V

  • 最大电流允许值:

    0.425A

  • 最大工作频率:

    1GHZ

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

    BLW92.BLX91,BLX92,3DA89,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    g-127

  • vtest:

    55

  • htest:

    1000000000

  • atest:

    0.425

  • wtest:

    1

技术参数

  • Maximum DC Collector Current:

    0.425A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    35V

  • Configuration:

    Single Dual Base

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOTOROLA/摩托罗拉
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1688
房间现货库存:QQ:373621633
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ST
24+
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现货供应
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3
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更多2N4429供应商 更新时间2026-1-27 10:31:00