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2N4401	文件：182.84 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：182.84 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N4401	文件：216.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS 文件：216.36 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4401	文件：202.48 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 40 Volts POWER 625 mWatts FEATURES • NPN epitaxial silicon, planar design • Collector-emitter voltage VCE = 40V • Collector current IC = 600mA • Complimentary (PNP) device:2N4403 • Pb free product are available :99 Sn above can meet RoHS environment substance directive 文件：202.48 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N4401	文件：324.7 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transi stors Features Power Dissipation 文件：324.7 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N4401	文件：218.61 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal General Purpose Transistors (NPN) Small Signal General Purpose Transistors (NPN) Features • NPN Silicon Epitaxial Transistor for Switching and Amplifier Applications 文件：218.61 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON
2N4401	文件：52.62 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features • Complementary to 2N4403. • High Power Dissipation : 625 mW at 25°C • High DC Current Gain : 100-300 at 150mA • High Breakdown Voltage : 40 V Min. 文件：52.62 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
2N4401	文件：138.35 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：138.35 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2N4401	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers & Switches Amplifiers & Switches Bipolar: General Purpose 文件：439.49 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N4401	文件：323.25 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2X；Package：SOT-23；General Purpose Transistor General Purpose Transistor 文件：323.25 Kbytes 页数：6 Pages	FS	FS
2N4401	文件：66.34 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.34 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL

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晶体管资料

型号：
2N4401
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337A,BC637,BC639,2N2221(A),2N2222(A),
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>100
图片代号：
A-31
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.625

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
6
hFEMin：
100
hFEMax：
300
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.75
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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