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2N4126	文件：227.82 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistors(PNP) FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications. Especiallysuit-ableforAF-driverandlow-poweroutputstages. ♦Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N4124isrecommended.	GE GE Industrial Company	GE
2N4126	文件：94.23 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsto10µAasaswitchandto100mAasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4126	文件：31.38 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
2N4126	文件：126.96 Kbytes Page：1 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
2N4126	文件：48.95 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplement:2N4124. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.small-signalaudio-frequencyapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
H2N4126	文件：36.1 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N4126isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •ComplementarytoH2N4124 •HighPowerPT:625mWat25°C •HighDCCurrentGainhFE:120-360atIC=2mA	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

产品属性

产品编号：
2N4126TA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3

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更多2N4126TA供应商更新时间2025-5-30 9:15:00

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