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2N4126TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4126TAR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
H2N4126	文件：36.1 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4126 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features • Complementary to H2N4124 • High Power PT : 625mW at 25°C • High DC Current Gain hFE : 120-360 at IC=2mA 文件：36.1 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
2N4126	文件：94.23 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents to 10 µA as a switch and to 100 mA as an amplifier. 文件：94.23 Kbytes 页数：2 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4126	文件：31.38 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：31.38 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
2N4126	文件：126.96 Kbytes Page：1 Pages	PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR 文件：126.96 Kbytes 页数：1 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

产品属性

产品编号：
2N4126TA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3

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