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2N4126 | PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplement:2N4124. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.small-signalaudio-frequencyapplications. | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | |
2N4126 | PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
| TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
2N4126 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
| SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体 | Samsung | |
2N4126 | PNP General Purpose Amplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsto10µAasaswitchandto100mAasanamplifier. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
2N4126 | Small Signal Transistors (PNP) FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications. Especiallysuit-ableforAF-driverandlow-poweroutputstages. ♦Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N4124isrecommended. | GE GE Industrial Company | GE | |
2N4126 | Small Signal Transistors SmallSignalTransistors | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | |
2N4126 | Small Signal Transistor (PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialTransistorforswitchingandamplifierapplications. •EspeciallysuitableforAF-driverandlow-poweroutputstages. •Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N4124isrecommended. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
2N4126 | PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●PNPSiliconEpitaxialTransistorforSwitchingandAmplifierApplications. ●Complementaryofthe2N4124 | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | |
2N4126 | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PNPSiliconEpitaxialTransistorforSwitchingandAmplifierApplications. ●AsComplementaryType,TheNPNTransistor2N4124isRecommended. | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | |
2N4126 | Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitchingapplications. | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 | FOSHAN |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
25V
- 最大电流允许值：
0.2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC308,BC558,BSW24,2N2906(A),2N2907(A),
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-31
- vtest：
25
- htest：
999900
- atest：
0.2
- wtest：
0.625
详细参数
- 型号：
2N4126
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+/25+ |
2100 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
PHI/VIS |
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50000 |
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