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2N4124 | NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplement:2N4126. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.small-signalaudio-frequencyapplications. | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | |
2N4124 | NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR FEATURES ForGeneralPurposeSwitchingandAmplifier Applications EspeciallySuitableforAFDriverandLow PowerOutputStages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
2N4124 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=25V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体 | Samsung | |
2N4124 | NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
2N4124 | Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦EspeciallysuitableforAF-driverand low-poweroutputstages. ♦Ascomplementarytype,thePNP transistor2N4126isrecommended. | GE GE Industrial Company | GE | |
2N4124 | NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHoleTO-92Package •Capableof625mWattsofPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Mois | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | |
2N4124 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
| MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics | MICRO-ELECTRONICS | |
2N4124 | Small Signal Transistors SmallSignalTransistors | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | |
2N4124 | NPN Plastic Encapsulated Transistor 0.2A,30VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighTransitionFrequency | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | |
2N4124 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.3V(Max)@IC=50mA APPLICATIONS ·Powerswitching ·GeneralPurposeAmplifier | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
30V
- 最大电流允许值：
0.2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC238,BC548,BSW41,2N2221(A),2N2222(A),
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-31
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
0.2
- wtest：
0.625
产品属性
- 产品编号：
2N4124
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，1V
- 频率 - 跃迁：
300MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN 25V 0.2A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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