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2N4124	文件：48.87 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplement:2N4126. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.small-signalaudio-frequencyapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N4124	文件：124.23 Kbytes Page：1 Pages	NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR FEATURES ForGeneralPurposeSwitchingandAmplifier Applications EspeciallySuitableforAFDriverandLow PowerOutputStages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
2N4124	文件：31.31 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=25V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
2N4124	文件：93.55 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4124	文件：210.18 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦EspeciallysuitableforAF-driverand low-poweroutputstages. ♦Ascomplementarytype,thePNP transistor2N4126isrecommended.	GE GE Industrial Company	GE
2N4124	文件：747.86 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHoleTO-92Package •Capableof625mWattsofPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Mois	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N4124	文件：85.24 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N4124	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4124	文件：83.77 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 0.2A,30VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighTransitionFrequency	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N4124	文件：292.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.3V(Max)@IC=50mA APPLICATIONS ·Powerswitching ·GeneralPurposeAmplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
2N4124
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 25V 0.2A TO92

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