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2N4070	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES [API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N4071	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES [API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N4070	文件：258.56 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：258.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N4070	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
2N4070	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
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晶体管资料

型号：
2N407
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.07A
最大工作频率：
6.8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,ASY26,ASY27,2N3323,2N3324,2N3325,3AG46,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
C-37
vtest：
20
htest：
68000000
atest：
0.07
wtest：
0.15

技术参数

Maximum Power Dissipation：
65000mW
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@0.5mA@5mAV
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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