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2N406	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N4060	文件：137.43 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS NPN / PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：137.43 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
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2N4062	文件：137.43 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS NPN / PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：137.43 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N4062	文件：143.45 Kbytes Page：1 Pages	SILECT TRANSISTORS P-N-P SILICON TRANSISTORS SILECT TRANSISTORS 文件：143.45 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4063	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage Silicon N-P-N Transistors High-Voltage Silicon N-P-N Transistors 文件：102.9 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4063	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage Silicon N-P-N Transistors High-Voltage Silicon N-P-N Transistors 文件：102.9 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4064	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage Silicon N-P-N Transistors High-Voltage Silicon N-P-N Transistors 文件：102.9 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4064	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage Silicon N-P-N Transistors High-Voltage Silicon N-P-N Transistors 文件：102.9 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4068	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N406
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.035A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC125,AC126,AC151,2SB54,2SB56,3AX52A,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
C-18
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.035
wtest：
0.15

技术参数

Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
0.2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.7@0.5mA@10mAV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Si
Category：
Bipolar Small Signal

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