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2N4003	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 30A 3-Pin TO-63	NJS	NJS
2N4003	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MB，TO-63-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip
2N4003K	文件：1.07163 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DRAIN CURRENT 0.5 AMPERES DRAIN SOUCE VOLTAGE 30 VOLTAGE Features: * Low Gate Voltage Threshold Vgs(th) to Facilitate Drive Circuit Design. * Low Gate Charge for Fast Switching. * ESD Protected Gate. * Minimum Breakdown Voltage Rating of 30V. Application: * Level Shi 文件：1.07163 Mbytes 页数：6 Pages	WEITRON	WEITRON
2N4003NLT1	文件：320.71 Kbytes Page：5 Pages	30V,0.56A, Single, SOT-23 文件：320.71 Kbytes 页数：5 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
2N4003K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	Weitron	Weitron
2N4003NLT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Willas 威伦电子	Willas

产品属性

产品编号：
2N4003
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
TO-211MB，TO-63-4，接线柱
供应商器件封装：
TO-63
描述：
POWER BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N4003供应商更新时间2025-11-30 8:01:00

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