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2N3879

HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS

High-Speed Epitaxial-Collector Silicon N-P-N Planar Transistors For High-Speed Switching and Linear-Amplifier Applications

文件:413.1 Kbytes 页数:7 Pages

GESS

2N3879

Silicon NPN Power Transistors

Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Wide area of safe operation ·High sustaining voltage APPLICATIONS ·For high-speed switching and linear-amplifier applications

文件:130.539 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

2N3879

SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTOR

Silicon N-P-N Planar Transistor

文件:120.09 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3879

Silicon NPN Power Transistors

Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION With TO-66 package ·Wide area of safe operation ·High sustaining voltage APPLICATIONS ·For high-speed switching and linear-amplifier applications

文件:113.22 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/526

文件:62.71 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

文件:51.83 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3879

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

文件:27.67 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3879

Silicon NPN Power Transistors

文件:114.81 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N3879

NPN Silicon Power 75V, 7A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N3879 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/526. The device package outline is a modified TO-213AA (similar to a TO-66).

Microchip

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N3879

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    >40MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD193,BDX22,MJE15030,2N5202,2N6264,3DA27B,

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    40000100

  • atest:

    7

  • wtest:

    35

产品属性

  • 产品编号:

    2N3879

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    NPN TRANSISTOR

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