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2N3858	文件：154.38 Kbytes Page：5 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistors The GE/RCA 2N3858, 2N3859 and 2N3860 are planar epitaxial passivated NPN silicon transistors designed primarlly for AM radio I.F. and converter applications. These types are supplied in JEDEC to-98 package. 文件：154.38 Kbytes 页数：5 Pages	GESS	GESS
2N3858	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59	NJS 新泽西半导体	NJS
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2N3858A	文件：154.38 Kbytes Page：5 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistors The GE/RCA 2N3858, 2N3859 and 2N3860 are planar epitaxial passivated NPN silicon transistors designed primarlly for AM radio I.F. and converter applications. These types are supplied in JEDEC to-98 package. 文件：154.38 Kbytes 页数：5 Pages	GESS	GESS
2N3858A	文件：96.56 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Transistors Silicon Transistors NPN 文件：96.56 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3858-60	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS	GESS	GESS
2N3858A	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Bipolar Transistor	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N3858
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
125MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121M.,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
β>60
图片代号：
A-20
vtest：
30
htest：
125000000
atest：
0.1
wtest：
0.36

技术参数

Maximum Power Dissipation：
30000mW
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@0.2mA@1mAV
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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