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2N384	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3846	文件：67.12 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/412 文件：67.12 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3847	文件：67.12 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/412 文件：67.12 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3847	文件：127.17 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR 文件：127.17 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3843-1	文件：73.25 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N SILICON TRANSISTOR 文件：73.25 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3843-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-P-N SILICON TRANSISTOR	NJS 新泽西半导体	NJS
2N3846	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 200V 20A 3-Pin TO-63	NJS 新泽西半导体	NJS
2N3847	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 300V 20A 3-Pin TO-63	NJS 新泽西半导体	NJS
2N3848	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MB，TO-63-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N3849	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MB，TO-63-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N384
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
调幅（AM）_调频（FM）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
70MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
AF106,AF124,AF125,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,3AG64,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-58
vtest：
0
htest：
70000000
atest：
0
wtest：
0

技术参数

Maximum Power Dissipation：
4000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
10V
Maximum DC Collector Current：
20A
Maximum Collector Emitter Voltage：
200V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75@1.6A@10AV
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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