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2N3810	文件：61.11 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON DUAL TRANSISTOR PNP SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/336 文件：61.11 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N3810	文件：119.98 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON DUAL TRANSISTOR PNP SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/336 文件：119.98 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
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2N3810	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNEL JFET GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES 文件：4.13074 Mbytes 页数：122 Pages	Intersil	Intersil
2N3810	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N3810	文件：113.08 Kbytes Page：2 Pages	DUAL PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3810 and 2N3810A are dual silicon PNP transistors manufactured by the epitaxial planar process utilizing two individual chips mounted in a hermetically sealed metal case designed for differential amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：113.08 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
2N3810	文件：30.19 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN Chip type 2C2605 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for high speed switching applications. Features: • High speed switching capabilities 文件：30.19 Kbytes 页数：1 Pages	Semicoa	Semicoa
2N3810	文件：43.17 Kbytes Page：3 Pages	Type 2N3810 Geometry 0220 Polarity PNP Chip type 2C2605 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for high speed switching applications. Features: • High speed switching capabilities 文件：43.17 Kbytes 页数：3 Pages	Semicoa	Semicoa
2N3810	文件：209.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Transistor 文件：209.68 Kbytes 页数：3 Pages	Semicoa	Semicoa
2N3810	文件：662.15 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DUAL PNP TRANSISTORS 文件：662.15 Kbytes 页数：3 Pages	Central	Central

技术参数

Case：
TO-78
Configuration/ Description：
Dual PNP Low Noise Amplifier
Polarity：
2XPNP
IC MAX：
50mA
PD MAX：
500mW
VCEO MAX：
60V
hFE MIN：
150
hFE MAX：
450
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
200mV
@IC：
100μA
@IB：
10μA
Cob MAX：
4pF
fT MIN：
30MHz
NF MAX：
7dB

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