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2N3740

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PNP TRANSISTOR

MICROCHIP

微芯科技

2N3740A

MEDIUM POWER PNP TRANSISTORS

文件:234.41 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3740A

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3740 series devices are silicon PNP power transistors manufactured by the epitaxial base process designed for power amplifier and medium speed switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

文件:86.26 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N3740A

Medium Power PNP Transistors

DESCRIPTION: These power transistors are produced by PPCs DOUBLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. They are intended for use

文件:62.38 Kbytes 页数:3 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3740A

Power Transistors

Power Transistors TO-66 Case

文件:51.32 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N3740_1

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

文件:58.03 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3740_11

PNP SILICON POWER TRANSISTOR

文件:430.55 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

2N3740_15

SILICON PNP POWER TRANSISTORS

文件:339.27 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

2N3740_2

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

文件:124.26 Kbytes 页数:3 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3740A

SILICON PNP POWER TRANSISTORS

文件:339.27 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

晶体管资料

  • 型号:

    2N3740(A)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BUW140(A),BUW40(B),BUX84,BUY63,2N4296,2N4297,2N3584,2N4240,3DK205G,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-8

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    25

产品属性

  • 产品编号:

    2N3740

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 125mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66

  • 描述:

    TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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