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2N3700DCSM

HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

文件:22.65 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3700P

NPN Silicon Low-Power 80V, 1A PIND Tested

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power 2N3019, 2N3057A and 2N3700 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/391. Two levels of product assurance (JANHC and JA

Microchip

微芯科技

2N3700AUB

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N3700

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    140V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    D-8

  • vtest:

    140

  • htest:

    200000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.5

产品属性

  • 产品编号:

    2N3700

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO18

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更多2N3700供应商 更新时间2026-1-18 16:12:00