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2N3790	文件：261.519 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：261.519 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3790	文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.52 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3790SMD	文件：14.67 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 文件：14.67 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3790X	文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.52 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3790XSMD	文件：14.67 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 文件：14.67 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3791	文件：113.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：113.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
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晶体管资料

型号：
2N3700
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β>100
图片代号：
D-8
vtest：
140
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
2N3700
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO18

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