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2N3670 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER 16AMPS 220 THRU 800 VOLTS JEDEC TO-3 CASE ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow. | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | |
2N3670 | 12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIER | DIGITRON Digitron Semiconductors | DIGITRON | |
2N3670 | GERMANIUM PNP TRANSISTORS | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | ETC1 | |
2N3670 | 12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | GE GE Industrial Company | GE | |
包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶闸管 - SCR 描述:SCR THRU HOLE TO-3 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | ||
包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶闸管 - SCR 描述:SCR THRU HOLE TO-3 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
50HZ-Thy
- 性质:
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
400V
- 最大电流允许值:
8A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
2N2578,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-44
- vtest:
400
- htest:
999900
- atest:
8
- wtest:
0
详细参数
- 型号:
2N3670
- 功能描述:
SCR 16A 400V Scr
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics 最大转折电流
- IBO:
480 A 额定重复关闭状态电压
- VDRM:
600 V
- 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):
5 uA
- 开启状态:
RMS
- 正向电压下降:
1.6 V
- 栅触发电压(Vgt):
1.3 V
- 最大栅极峰值反向电压:
5 V
- 栅触发电流(Igt):
35 mA 保持电流(Ih
- 最大值):
75 mA
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
TO-220
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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