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2N3667

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:258.87 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N3668

12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIER

文件:1.09516 Mbytes 页数:3 Pages

DIGITRON

2N3668

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N3668

12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

文件:229.36 Kbytes 页数:4 Pages

GE

2N3669

12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

文件:229.36 Kbytes 页数:4 Pages

GE

2N3669

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N3669

12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIER

文件:1.09516 Mbytes 页数:3 Pages

DIGITRON

2N3663

NPN RF Transistor

This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 43. See PN918 for characteristics.

ONSEMI

安森美半导体

2N3661

Trans GP BJT PNP 50V 1.5A 3-Pin TO-5

NJS

NJS

2N3663

Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk

NJS

NJS

晶体管资料

  • 型号:

    2N3663

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    甚高频 (VHF)_中频放大 (ZF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.025A

  • 最大工作频率:

    1GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF225,BF314,BF502,BF505,BF507,3DG122F,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    30

  • htest:

    1000000000

  • atest:

    0.025

  • wtest:

    0.2

技术参数

  • Maximum Junction Ambient Thermal Resistance:

    357°C/W

  • Maximum Emitter Cut-Off Current:

    500nA

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    3V

  • Maximum DC Collector Current Range:

    0.001 to 0.06A

  • Maximum DC Collector Current:

    0.05A

  • Maximum Collector Emitter Voltage Range:

    <20V

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    12V

  • Maximum Collector Cut-Off Current:

    500nA

  • Maximum Collector Base Voltage:

    30V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N366供应商 更新时间2026-3-11 16:24:00