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2N3646

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTORS

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N/PN3646,2N5772SeriestypesareSiliconPNPTransistorsdesignedforultrahighspeedswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

2N3646

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

2N3646

包装:散装 封装/外壳:TO-106-3 凸面镜 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO106

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

2N3646_15

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

晶体管资料

  • 型号:

    2N3646

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSS10,BSS11,BSS26,BSS40,BSS41,BSV59,BSX19,BSX20,BSX49,2N2368(A),2N2369(A),2N3737,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-62

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    .2

  • wtest:

    .2

产品属性

  • 产品编号:

    2N3646

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 30mA,300mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 30mA,400mV

  • 频率 - 跃迁:

    350MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-106-3 凸面镜

  • 供应商器件封装:

    TO-106

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A TO106

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更多2N3646供应商 更新时间2024-4-30 13:30:00