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2N3637	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 文件：57.89 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3637	文件：81.68 Kbytes Page：6 Pages	Low Power Transistors Low Power Transistors PNP Silicon Features • MIL−PRF−19500/357 Qualified • Available as JAN, JANTX, JANTXV and JANHC 文件：81.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3637	文件：219.64 Kbytes Page：6 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON 文件：219.64 Kbytes 页数：6 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3637	文件：252.72 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 2N3635 and 2N3637 Are PNP Silicon Transistros For High Voltage Switching and Low Power Amplifier. 文件：252.72 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N3637	文件：502.86 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3637 is a PNP Silicon Transistor, mounted in a hermetically sealed TO-39 package, designed for general purpose amplifier and high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：502.86 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3637	文件：204.2 Kbytes Page：2 Pages	Transistor Description: The 2N3637 PNP silicon epitaxial planer transistors in a TO-39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits. Description Transistor, Bipolar, Metal, TO-39, PNP 文件：204.2 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N3637	文件：77.97 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR RF TRANSISTORS SILICON PLANAR RF TRANSISTORS The 2N3636 and 2N3637 are PNP transistors mounted in TO-39 metal case. They are intended for high voltage switching and Low Power Amplifier. Compliance to RoHS 文件：77.97 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N3637	文件：94.17 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT Metal-Can High-Voltage/High-Current Transistors 文件：94.17 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3637	文件：301.79 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistor Bare Die Features:  High Breakdown Voltage  Low VCE(sat)  Characterized at temperature extremes  High Reliability Gold Back Metal  High Reliability tested grades for Military + Space 文件：301.79 Kbytes 页数：3 Pages	SS	SS
2N3637	文件：115.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP TRANSISTOR FEATURES • High Voltage Switching • Low Power Amplifier Applications • Hermetic TO39 Package APPLICATIONS: • General Purpose • High Speed Saturated Switching 文件：115.88 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC

晶体管资料

型号：
2N3637(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
175V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>100
图片代号：
C-40
vtest：
175
htest：
150000100
atest：
1
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N3637
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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