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2N3635

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:174.68 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3635

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage

Central

2N3635

Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-39

NJS

新泽西半导体

2N3635

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N3635

Package:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 140V 1A TO39

MICROCHIP

微芯科技

2N3635L

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357

文件:57.89 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3635L

Low Power Transistors

Low Power Transistors PNP Silicon Features • MIL−PRF−19500/357 Qualified • Available as JAN, JANTX, JANTXV and JANHC

文件:81.68 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N3635L

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:174.68 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3635L

RADIATION HARDENED

文件:233.24 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3635UB

RADIATION HARDENED

文件:233.24 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

晶体管资料

  • 型号:

    2N3635(S)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    140V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >150MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    140

  • htest:

    150000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

产品属性

  • 产品编号:

    2N3635

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS PNP 140V 1A TO39

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更多2N3635供应商 更新时间2026-4-17 16:30:00