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2N3632	文件：609.54 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF-UHF CLASS C WIDE BAND RF & MICROWAVE TRANSISTOR VHF-UHF CLASS C WIDE BAND 文件：609.54 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3632	文件：245.31 Kbytes Page：3 Pages	silicon transistors UHF/VHF power transistors silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching 文件：245.31 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3632	文件：210.76 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF-UHF CLASS C WIDE BAND 文件：210.76 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3632	文件：196.48 Kbytes Page：2 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF-UHF CLASS C WIDE BAND 文件：196.48 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3632	文件：256.04 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS 文件：256.04 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3632	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3632	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 3A 3-Pin TO-60	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N3632
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
特殊封装
极限工作电压：
65V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BLY60,EDA201C,40307,40665,
最大耗散功率：
13.5W
放大倍数：
图片代号：
F-28
vtest：
65
htest：
175000000
atest：
3
wtest：
13.5

技术参数

Output Power：
13.5(Min)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
10@250mA@5V
Maximum Transition Frequency：
400MHz
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum Collector Base Voltage：
65V
Configuration：
Single

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更多2N3632供应商更新时间2026-4-21 13:30:00

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