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2N3636UB

RADIATION HARDENED

文件:233.24 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3636UB

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:174.68 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3637

RADIATION HARDENED

文件:233.24 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3637

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:174.68 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3637

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:20.15 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3637

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:28.06 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3637_08

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:28.06 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3637CSM

PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

文件:27.08 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3637CSM

PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

文件:15.88 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3637CSM_08

PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

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SEME-LAB

产品属性

  • 产品编号:

    2N3634L

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS PNP 140V 1A TO5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Microsemi
1941+
N/A
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MICROSEMI
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TO-5
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Microsemi
22+
NA
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Microchip
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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Microchip Technology
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TO-205AA TO-5-3 金属罐
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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7000
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CAN3
39800
原装现货假一罚十
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更多2N36供应商 更新时间2026-3-11 10:19:00