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2N3637分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N3637

参数属性

2N3637 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS

功能描述

RADIATION HARDENED

文件大小

233.24 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-7 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3637(S)

  • 别名:

    2N3637三极管、2N3637晶体管、2N3637晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    175V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >150MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    175

  • htest:

    150000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

产品属性

  • 产品编号:

    2N3637

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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