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2N3501SP

Trans GP BJT NPN 150V 3-Pin TO-39

NJS

NJS

2N3501UB

RADIATION HARDENED

文件:111.61 Kbytes 页数:3 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3501UB

Silicon NPN Transistor

Description Semicoa Semiconductors offers: • Screening and processing per MIL-PRF-19500 AppendixE • JAN level (2N3501UBJ) • JANTX level (2N3501UBJX) • JANTXV level (2N3501UBJV) • JANS level (2N3501UBJS) • QCI to the applicable level • 100 die visual inspection per MI

文件:114.79 Kbytes 页数:2 Pages

SEMICOA

JAN2N3501

NPN SILICON TRANSISTOR

文件:69.36 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

技术参数

  • Maximum Transition Frequency:

    150(Min)MHz

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    6V

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    150V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.4@0.15AV

  • Maximum Collector Base Voltage:

    150V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Small Signal

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更多2N3501SP供应商 更新时间2026-3-17 11:06:00