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2N3553	文件：157.7 Kbytes Page：1 Pages	VHF SILICON NPN POWER TRANSISTOR VHF Silicon NPN Power Transistor The 2N3553 is a silicon epitaxial planar transistor of NPN structure. This device is intended for large signal, high power oscillator-amplifier application in the VHF-UHF (100MC to 400MC) region. The 2N3553 transistor utilizes a multi-emitter structure consisting 文件：157.7 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3554	文件：22.37 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case 文件：22.37 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3562	文件：103.73 Kbytes Page：1 Pages	SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V Description: SCR V(DRM) = 200 V to 299.9 V 文件：103.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3564	文件：125.75 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRASISTOR GENERAL DESCRIPTION The 2N3564 is an NPN Silicon Transistor. It is designed for high-frequency wide-band amplifiers and is useful in low-power, small-signal tuned RF and IF applications. 文件：125.75 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3565	文件：94.81 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN LO-PWR BJT 文件：94.81 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3565	文件：22.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics. 文件：22.86 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N3570	文件：16.44 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION: The 2N3570 is Designed for High Frequency Low Noise Amplifier and Oscillator Applications. 文件：16.44 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
2N3570	文件：68.32 Kbytes Page：1 Pages	TO-72 PNP Silicon Transistors 文件：68.32 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3571	文件：68.32 Kbytes Page：1 Pages	TO-72 PNP Silicon Transistors 文件：68.32 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3572	文件：68.32 Kbytes Page：1 Pages	TO-72 PNP Silicon Transistors 文件：68.32 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N35(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.008A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,AC176,AC187,ASY28,ASY29,2N194,2N1302,3BX31C,
最大耗散功率：
0.05W
放大倍数：
图片代号：
D-161
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.008
wtest：
0.05

技术参数

Tolerance of VBR(%)：
15
Impulse Breakdown Volts_100V/us(V)：
700
Impulse Breakdown Volts_1000V/us(V)：
900
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_1times(KA)：
20
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_10times(KA)：
15
Size：
8.0*6.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市利加科技有限公司	2N3583	SSI	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
深圳市弘为电子有限公司	2N3554S	MOTOROLA	24+	CAN3	3500	原装现货假一罚十	询价
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上海意淼电子科技有限公司	2N3567	NS	23+	NA	5000	全新原装假一赔十	询价

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