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2N3418	文件：63.82 Kbytes Page：3 Pages	3 Amp, 85V, NPN Silicon Power Transistors JAN, JTX, JTXV, JANS NPN MEDUIM POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/393 文件：63.82 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3418	文件：484.13 Kbytes Page：4 Pages	NPN Medium Power Silicon Transistor Features • Available in JAN, JANTX, JANTXV, JANS and JANSR 100K rads(Si) per MIL-PRF-19500/393 • TO-5 & TO-39 (TO-205AD) Package 文件：484.13 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
2N3418	文件：174.77 Kbytes Page：1 Pages	NPN TO-39/TO-5 NPN TO-39/TO-5 Case 801 I(MAX) = 0.05 to 10 A VCEO(sus) = 40 • 800V fT = 1 to 50 MHz 文件：174.77 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3418	文件：50.23 Kbytes Page：2 Pages	NPN MEDUIM POWER SILICON TRANSISTOR 文件：50.23 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3418	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor GP BJT NPN 3-Pin 60V, 3A, 1000mW TO-5 Bag This family of 2N3418 through 2N3421 high-frequency, epitaxial planar NPN transistors have a low saturation voltage, and are military qualified up to the JANS level for high-relliability applications. These transistors are available in a standard TO-205AA (TO-5) package as well as a TO-205AD (TO-39 JEDEC registered 2N3418 through 2N3421 series\nJANHC, JANKC, JAN,JANTX, JANTXV, and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/393\nRoHS compliant versions available (commercial grade only)\nVCE(sat) = 0.25 V @ Ic = 1 A\nRise time tr = 0.22 µs max @ IC = 1.0 A, IB1 = 100 mA\nFall time tf = ;	Microchip 微芯科技	Microchip
2N3418	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO5	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N3418S	文件：484.13 Kbytes Page：4 Pages	NPN Medium Power Silicon Transistor Features • Available in JAN, JANTX, JANTXV, JANS and JANSR 100K rads(Si) per MIL-PRF-19500/393 • TO-5 & TO-39 (TO-205AD) Package 文件：484.13 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
2N3418JAN	文件：55.11 Kbytes Page：2 Pages	NPN MEDUIM POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/393 文件：55.11 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3418JANTX	文件：55.11 Kbytes Page：2 Pages	NPN MEDUIM POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/393 文件：55.11 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3418JANTXV	文件：55.11 Kbytes Page：2 Pages	NPN MEDUIM POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/393 文件：55.11 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

晶体管资料

型号：
2N3418
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
85V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT33,BUX34,BUY80,2N4309,2N4897,2N5336,2N5337,2N5338,2N5339,3DK204B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β>20
图片代号：
C-40
vtest：
85
htest：
999900
atest：
5
wtest：
15

产品属性

产品编号：
2N3418
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，2V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5
描述：
TRANS NPN 60V 3A TO5

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