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2N3496

Small Signal Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

文件:33.75 Kbytes 页数:1 Pages

Central

2N3496

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON

文件:83.61 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3496

PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

文件:196.22 Kbytes 页数:4 Pages

CDIL

2N3496

Package:TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:SMALL-SIGNAL BJT

Microchip

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N3496

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    >200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC556,BF398,BSS68,BSV68,2SA970,2SA1049,2SA1285(A),3CG170B,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-8

  • vtest:

    80

  • htest:

    200000100

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

产品属性

  • 产品编号:

    2N3496

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    80V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 功率 - 最大值:

    600mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 100mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18(TO-206AA)

  • 描述:

    SMALL-SIGNAL BJT

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更多2N3496供应商 更新时间2025-12-23 10:50:00