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2N3250	文件：183.88 Kbytes Page：5 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) 文件：183.88 Kbytes 页数：5 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3250	文件：214.46 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS Designed for Small Signal, General Purpose and Switching Applications 文件：214.46 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N3250	文件：545.18 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3250, 2N3251 series devices are silicon PNP transistors designed for small signal, general purpose switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：545.18 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3250	文件：106.72 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON 文件：106.72 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3250A	文件：545.18 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3250, 2N3251 series devices are silicon PNP transistors designed for small signal, general purpose switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：545.18 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3250A	文件：148.94 Kbytes Page：1 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON 文件：148.94 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3250A	文件：214.46 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS Designed for Small Signal, General Purpose and Switching Applications 文件：214.46 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N3250A	文件：33.75 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：33.75 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3250A	文件：58.09 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/323 文件：58.09 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3251	文件：64.64 Kbytes Page：2 Pages	PNP BIPOLAR TRANSISTOR PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/323 文件：64.64 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

晶体管资料

型号：
2N3251A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSW24,2N2906A,2N2907A,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.36

产品属性

产品编号：
2N3251A
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
描述：
TRANS PNP 60V 0.2A TO39

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