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2N323	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N323	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMAIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N3231	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3232	文件：129.699 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio amplifier and power switching 文件：129.699 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3232	文件：126.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • DC Current Gain-hFE= 18-55@ IC= 3A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 60V(Min) APPLICATIONS • Designed for general purpose power switch and amplifier applica 文件：126.48 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3232	文件：107.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio amplifier and power switching 文件：107.17 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N3233	文件：107.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio amplifier and power switching 文件：107.23 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N3233	文件：126.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • DC Current Gain-hFE= 18-55@ IC= 3A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V(Min) APPLICATIONS • Designed for general purpose high power switch and amplifier 文件：126.35 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3233	文件：129.699 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio amplifier and power switching 文件：129.699 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3234	文件：129.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For audio amplifier and power switching applications 文件：129.66 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2N323
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
18V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,
最大耗散功率：
0.225W
放大倍数：
β>53
图片代号：
C-65
vtest：
18
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.225

技术参数

Maximum Power Dissipation：
360mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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