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2N322	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N322	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMAIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N3226	文件：127.37 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0 V(Max)@ IC = 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 35V(Min) APPLICATIONS • Designed for power amplifier and switching circuits applications 文件：127.37 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3226	文件：107.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For power amplifier and switching circuits applications 文件：107.45 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N3226	文件：129.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For power amplifier and switching circuits applications 文件：129.84 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3227	文件：93.58 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE SWITCHING TRANSISTORS NPN SILICON 文件：93.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3227	文件：88.62 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN LP HF BJT MANUFACTURER SWITCHING TRANSISTORS NPN SILICON 文件：88.62 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3227	文件：116.8 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ANNULAR TRANSISTORS SILICON ANNULAR TRANSISTORS The 2N3227 are silicon NPN silicon annular transistors for low-current, high-speed switching applications. They are mounted in Jedec TO-18 metal. 文件：116.8 Kbytes 页数：2 Pages	COMSET	COMSET
2N3227	文件：30.43 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C2369A Geometry 0005 Polarity NPN Chip type 2C2369A by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Features: • High speed switching capabilities APPLICATIONS: Designed for high speed switching applications. 文件：30.43 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3227UB	文件：235.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Description Semicoa Semiconductors offers: • Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E • JAN level (2N3227UBJ) • JANTX level (2N3227UBJX) • JANTXV level (2N3227UBJV) • JANS level (2N3227UBJS) • QCI to the applicable level • 100 die visual inspection per MIL-STD-750 method 2072 文件：235.12 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA

晶体管资料

型号：
2N322
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
18V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,AC193,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX53C,
最大耗散功率：
0.225W
放大倍数：
β>34
图片代号：
C-65
vtest：
18
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.225

技术参数

Maximum Power Dissipation：
360mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
0.2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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