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2N321	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N321	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMAIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N3210	文件：33.75 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：33.75 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3218	文件：135.55 Kbytes Page：1 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 The 2N 3218 is designed for low level chopper applications and embody the most advanced semiconductor technology, combining epitaxial junction growth with diffusion and oxide passivation techniques. 文件：135.55 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18 Box	NJS	NJS
2N3218	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18 Box	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N321
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,
最大耗散功率：
0.225W
放大倍数：
β>53
图片代号：
C-65
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.225

技术参数

Maximum Transition Frequency：
400(Min)MHz
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Collector Emitter Voltage：
15V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@100mAV
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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