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2N3133

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)

文件:55.84 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N3133

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

PNP Silicon Epitaxial Transistors APPLICATIONS These transistors are designed for use as small signal and medium power amplifiers as well as high speed, high current switching applications.

文件:134.53 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3133

Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

文件:777.48 Kbytes 页数:12 Pages

RAYTHEON

雷神

2N3133

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

Central

晶体管资料

  • 型号:

    2N3133(S)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC161,BC303,BSV16,BSV82,BSW23,BSW40,2N2904,2N2905,2N3468,2SA717,2SA742,3CK9D,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

    β>40

  • 图片代号:

    C-78

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.6

技术参数

  • Case:

    TO-39

  • Configuration/ Description:

    PNP General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity:

    PNP

  • IC MAX:

    600mA

  • PD MAX:

    600mW

  • VCEO MAX:

    35V

  • hFE MIN:

    40

  • hFE MAX:

    120

  • @VCE:

    10V

  • VCE(SAT) MAX:

    600mV

  • @IC:

    150mA

  • @IB:

    15mA

  • Cob MAX:

    10pF

  • fT MIN:

    200MHz

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