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2N3114

Small Signal Transistors

SmallSignalTransistors TO-39Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N3114

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3114isaNPNSiliconTransistor,mountedinahermeticallysealedpackage,designedforgeneralpurposeamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N3114CSM

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedLCC1CeramicSurfaceMountPackageforHighReliabilityApplications BipolarNPNDevice. VCEO=150V IC=0.1A

TTELECTT Electronics.

梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC

2N3114_15

NPN SILICON TRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N3114CSM

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N3114CSM

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N3114CSM_09

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

晶体管资料

  • 型号:

    2N3114(S)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    视频输出 (Vid)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >70MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF257,BF258,BF259,BF336,BF657,BF658,BF659,BFR57,BFR58,BFR59,BFT47,2N5059,3DG181D,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

    β>40

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    80

  • htest:

    70000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    .8

详细参数

  • 型号:

    2N3114

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN High Volt

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多2N3114供应商 更新时间2024-4-27 15:16:00