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2N3053A	文件：231.14 Kbytes Page：2 Pages	Bipolar Transistor Description: This is a Silicon NPN transistor in a TO-39 type case designed primarily for amplifier and switching applications. This device features high breakdown voltage, low leakage current, low capacity, and beta useful over an extremely wide current range. Description Bipolar Transistor, 文件：231.14 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N3053A	文件：143.15 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE MEDIUM POWER SILICON NPN PLANAR TRASISTORS [Advanced Semiconductor] PNP 2N329A, NPN 2N332, NPN 2N339 ~ NPN 2N3692, NPN 2N3712 文件：143.15 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3053A	文件：42.27 Kbytes Page：1 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(NPN SILICON) GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN SILICON 文件：42.27 Kbytes 页数：1 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3053A	文件：75.34 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR General Purpose Transistors 文件：75.34 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N3053A	文件：509.36 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS 文件：509.36 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3053A	文件：16.16 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 文件：16.16 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3053A	文件：260.56 Kbytes Page：1 Pages	Technical Specifications 文件：260.56 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N3053A	文件：300 bytes Page：1 Pages	General purpose, medium power silicon N-P-N planar transistor.	GESS	GESS
2N3053A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-39 Box	NJS	NJS
2N3053A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central

晶体管资料

型号：
2N3053A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,2N2218A,2N2219A,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
80
htest：
100000100
atest：
0.7
wtest：
1

技术参数

Case：
TO-39
Configuration/ Description：
NPN General Purpose Amplifier/Switch
Polarity：
NPN
IC MAX：
700mA
PD MAX：
5W
VCEO MAX：
60V
hFE MIN：
50
hFE MAX：
250
@VCE：
10V
VCE(SAT) MAX：
300mV
@IC：
150mA
@IB：
15mA
Cob MAX：
15pF
fT MIN：
100MHz

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