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2N3019 | NPN Transistor Bare Die Features: Collector current up to 1A Low Leakage Current & Saturation Voltage Characterized at temperature extremes High Reliability Gold Back Metal High Reliability tested grades for Military + Space 文件：300.63 Kbytes 页数：3 Pages | SS | SS | |
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2N3019 | NPN SILICON TRANSISTOR FEATURES • NPN High Voltage Planar Transistor • Hermetic TO39 Package • Full Screening Options Available 文件：147.05 Kbytes 页数：3 Pages | TTELEC | TTELEC | |
2N3019 | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：92.29 Kbytes 页数：4 Pages | COMSET | COMSET | |
2N3019 | SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR 文件：49.59 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
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2N3019 | NPN SILICON TRANSISTOR 文件：42.86 Kbytes 页数：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
140V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
>100MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BSS43,BSW68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,
- 最大耗散功率：
0.8W
- 放大倍数：
β>100
- 图片代号：
C-40
- vtest：
140
- htest：
100000100
- atest：
1
- wtest：
0.8
产品属性
- 产品编号：
2N3019
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
TRANS NPN 80V 1A TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
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TO-5 |
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